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感應(yīng)耦合電漿蝕刻

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 更新時(shí)間:2024-10-10

簡(jiǎn)要描述:簡(jiǎn)要描述:感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻(RIE)的基礎(chǔ)上,添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場(chǎng)圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍,將充當(dāng)變壓器中的次級(jí)線圈,加速電子和離子,從而引起碰撞,產(chǎn)生更多的離子和電子。

產(chǎn)品詳情

感應(yīng)耦合電漿蝕刻(ICP)蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻(RIE)的基礎(chǔ)上,添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場(chǎng)圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍,將充當(dāng)變壓器中的次級(jí)線圈,加速電子和離子,從而引起碰撞,產(chǎn)生更多的離子和電子。

高密度的電漿和低真空度增強(qiáng)了具有非等向性的高蝕刻速率??梢愿鶕?jù)製程要求通過(guò)調(diào)節(jié)來(lái)自射頻發(fā)生器的直流偏壓來(lái)控制離子和電子能量。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程,並提供高精準(zhǔn)度的薄膜蝕刻。

感應(yīng)耦合電漿蝕刻

感應(yīng)耦合電漿蝕刻參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域腔體
  • 矽化合物蝕刻(SiO2、SiN4)。

  • 光阻蝕刻。

  • III-V族化合物半導(dǎo)體(GaAsn,InP,GaN)蝕刻。

  • 微機(jī)電系統(tǒng)。

  • 金屬與矽蝕刻。

  • 陽(yáng)極電鍍處理鋁腔。

  • 通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。



配置和優(yōu)點(diǎn)選件
  • 客製化的基板尺寸,直徑可達(dá)12寸晶圓。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 具有高均勻度氣體分佈的質(zhì)量流量控制器。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,將載盤加熱至300°C或冷卻至-20°C。

  • 使用Tornado ICP線圈,ICP電漿高達(dá)2000W,可增強(qiáng)低溫下的沉積。

  • 低損壞,高速率處理,高深寬比。

  • 基板具有氦氣冷卻之功能,均勻的控制溫度。

  • 均勻的氣體擴(kuò)散,具有優(yōu)化的氣體分佈。

  • 靜電吸盤。

  • 蝕刻終點(diǎn)偵測(cè)(OES,激光)相容性。

  • 可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。






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