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感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備

  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 更新時(shí)間：2024-10-10

簡(jiǎn)要描述：簡(jiǎn)要描述：感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應(yīng)速率較高等優(yōu)點(diǎn)。

產(chǎn)品詳情

感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備

ICP-CVD 感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD）是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應(yīng)速率較高等優(yōu)點(diǎn)。

SYSKEY感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備的ICP-CVD可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺(tái)溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜。

應(yīng)用領(lǐng)域腔體

  • 奈米碳管與石墨烯製程。

  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄

    膜製程。

  • 二維材料。

  • 醫(yī)療和商業(yè)產(chǎn)品的耐磨薄膜。

  • 陽(yáng)極電鍍處理鋁腔。

  • 通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或

    加熱包來(lái)控制腔體溫度。


配置和優(yōu)點(diǎn)選件

  • 客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)

    12寸晶圓。

  • 腔體壓力：50~10-3 Torr。

  • 精準(zhǔn)流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴(kuò)充10條氣體管線。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，將載盤(pán)加熱至700°C。

  • 使用Tornado ICP線圈，ICP電漿範(fàn)

    圍為50W ~2000W，滿(mǎn)足客戶(hù)ICP-CVD製程需求。

  • 可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手

    套箱整合在一起。

  • RPS用於腔體清潔。

  • 橢圓偏振光譜儀。

  • 發(fā)射光譜儀。

  • 高真空傳送系統(tǒng)。





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