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電漿輔助式化學氣相沉積設備

  • 產(chǎn)品型號:
  • 更新時間:2024-10-10

簡要描述:簡要描述:電漿輔助式化學氣相沉積設備是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術,可為沉積反應提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。

產(chǎn)品詳情

電漿輔助式化學氣相沉積設備

電漿輔助式化學氣相沉積設備(PECVD)是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術,可為沉積反應提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。

電漿輔助式化學氣相沉積設備

電漿輔助式化學氣相沉積設備PECVD比半導體行業(yè)中的其他CVD技術更廣泛地使用,且可以在較低的工作溫度(低於350°C)下沉積薄膜,並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度),並提供高品質(zhì)的薄膜。

電漿輔助式化學氣相沉積設備

我們也開發(fā)不同機器但共用零組件,以達到節(jié)省成本。

應用領域腔體
  • 電漿清洗。

  • SiOx、SiNxa-Si、DLC和其他薄膜。

  • 防刮顯示屏。

  • 醫(yī)療和商業(yè)產(chǎn)品的耐磨薄膜。

  • 封裝,絕緣層。

  • 鋁或不銹鋼腔體或石英腔,佔地面積小。

  • 通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加

    熱器包來控制腔體溫度。



配置和優(yōu)點選件
  • 客製化的基板尺寸,直徑可達12

    寸晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可擴充10條氣體管線。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,可將載盤加熱至400°C。

  • 使用電容式耦合電漿(CCP)。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套

    箱整合在一起。

  • RPS用於腔體清潔。

  • 發(fā)射光譜儀。

  • 高真空傳送系統(tǒng)。




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